山东天岳先进申请提高半导体晶体质量专利, 获得低位错、低应力的 P 型碳化硅晶体

金融界2025年1月30日消息，国家知识产权局信息显示，山东天岳先进科技股份有限公司申请一项名为“一种提高半导体晶体质量的液相生长装置及液相生长方法”的专利，公开号CN119372760A，申请日期为2024年12月。 专利摘要显示，本申请公开了一种提高半导体晶体质量的液相生长装置及液相生长方法，属于半导体晶体制备技术领域。该液相生长装置包括：能够容纳原料液体的坩埚，坩埚侧壁的上部设置有与坩埚侧壁抵接的环状液滴去除件，液滴去除件的熔点高于半导体的生长温度，且至少液滴去除件的表......查看更多

2025-02-04