金融界2025年1月30日消息，国家知识产权局信息显示，山东天岳先进科技股份有限公司申请一项名为“一种提高半导体晶体质量的液相生长装置及液相生长方法”的专利，公开号CN119372760A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本申请公开了一种提高半导体晶体质量的液相生长装置及液相生长方法，属于半导体晶体制备技术领域。该液相生长装置包括：能够容纳原料液体的坩埚，坩埚侧壁的上部设置有与坩埚侧壁抵接的环状液滴去除件，液滴去除件的熔点高于半导体的生长温度，且至少液滴去除件的表面与原料溶液的浸润性大于半导体晶体与原料溶液的浸润性；晶体支撑轴，晶体支撑轴能够带动半导体晶体与液滴去除件接触，且带动半导体晶体旋转。该液相生长装置通过在坩埚侧壁的上部设置有环状液滴去除件，能够在半导体晶体生长结束之后，通过晶体支撑轴带动半导体晶体与液滴去除件接触，以有效去除生长后半导体晶体表面的残余液滴，从而获得低位错、低应力的P型碳化硅晶体。

天眼查资料显示，山东天岳先进科技股份有限公司，成立于2010年，位于济南市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本42971.1044万人民币，实缴资本42971.1044万人民币。通过天眼查大数据分析，山东天岳先进科技股份有限公司共对外投资了13家企业，参与招投标项目44次，知识产权方面有商标信息16条，专利信息590条，此外企业还拥有行政许可55个。

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